报告一：
报告题目：柔性智能敏感器件与集成系统的研究
报 告 人：沈国震研究员
单 位：中国科学院半导体研究所
时 间：2019年1月12日（周六）
地 点：材料院 教学5号楼 4楼413室（大会议室）
个人简介：
沈国震，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师，国家杰出青年基金获得者。1999年在安徽师范大学获学士学位，2003年在中国科学技术大学获得博士学位。2004年2月-2013年2月分别在韩国汉阳大学、日本国立材料研究所、美国南加州大学以及华中科技大学从事科研工作。2013年加入中科院半导体所超晶格国家重点实验室工作。长期从事低维半导体材料与相关柔性器件的研究工作，迄今在Chemical Society Reviews, Advanced Materials, Nano Letters等期刊发表SCI收录论文230余篇，所发表的文章被引用超过14000次，论文的H指数为67。主编柔性电子学等英文专著2部，获批/申请发明专利十余项。先后获国家杰出青年科学基金、教育部“新世纪优秀人才计划”、茅以升北京青年科技奖等荣誉。获北京市科学技术二等奖、中国材料研究学会科学技术一等奖等。现任英国皇家化学会会士、中国材料研究学会理事，以及学术期刊Nanoscale Research Letters（SCI收录）副主编、Journal of Semiconductors副主编等。
报告摘要：
柔性智能敏感器件与集成系统的研究
柔性电子技术是将有机、无机材料电子器件制作在柔性、可延性塑料或薄金属基板上的新兴电子技术，以其独特的柔性、延展性，在信息、能源、医疗、国防等领域具有广泛应用前景。特别是随着移动通信和可穿戴电子设备的发展，柔性可穿戴电子的研究应用已经逐步深入人们的生活并改变人们的生活和消费习惯。发展新型可贴附、可穿戴、便携式、可折叠等柔性传感器的研究备受国内外研究者广泛关注，并逐渐成为当前重要的前沿研究领域之一。
低维半导体纳米材料由于其特异的物理和化学性能，具有优异的传感性能，在此次报告中，我们将简要介绍我们课题组近年来在基于低维半导体纳米材料的柔性传感器领域取得的部分研究成果，包括设计柔性光电探测器和柔性压力传感器等。并在柔性传感器工作的基础上，开展了传感-储能一体化以及多功能传感集成系统的研究。
报告二：
报告题目：基于二维层状半导体的偏振光探测器
报 告 人：魏钟鸣研究员
单 位：中国科学院半导体研究所
时 间：2019年1月12日（周六）
地 点：材料院 教学5号楼 4楼413室（大会议室）
个人简介：
魏钟鸣，男，中国科学院半导体研究所研究员、博导，中国科学院大学岗位教授。2005年本科毕业于武汉大学，2010年7月于中国科学院化学研究所获理学博士学位。2010年8月至2013年8月，在丹麦哥本哈根大学做博士后研究。2013年9月至2015年1月，在丹麦哥本哈根大学任助理教授。2015年2月回国，入选中国科学院“百人计划”，2016年获得优秀青年科学基金。长期从事新型低维半导体材料的制备及其光电功能器件的研究工作，主要针对二维原子晶体、分子晶体的构筑及器件输运性能探索等进行相关研究。迄今已经发表SCI论文110多篇，包括以通讯或第一作者在Nat. Commun.;Adv. Mater.;J. Am. Chem. Soc.;ACS Nano;Adv. Funct. Mater.等国际知名期刊发表论文60多篇。
报告摘要：
近年来，二维材料由于其独特的光电性能而受到了广泛的关注。相比于零带隙的石墨烯，二维半导体材料，如MoS2，WSe2等具有一定宽度的带隙，使其可以广泛应用于制备各种光电器件（包括存储器、探测器和晶体管等）。当前二维材料的实际应用还有很多问题亟需解决，这对我们而言，既是挑战，也是机遇。我们课题组在二维半导体及其合金、异质结等方面进行了长期的探索，围绕材料的设计、制备、器件应用已经取得一些进展，部分材料在场效应晶体管和光探测器方面显示出较好的性能。偏振光探测器在光通信等领域有非常重要的应用，这里我们主要针对新型二维半导体在偏振光探测方面的器件应用进行汇报。我们发现具有二维层状堆积晶体结构和面内各向异性的GeSe与GeAs等材料表现出优异的偏振光探测性能，并且探测波段从可见区覆盖到红外区，这两种材料都在808 nm的短波近红外区获得最优性能。
报告三：
报告题目：Doping and Defects in Semiconductors: Fundamental Understanding and Design.
报 告 人：邓惠雄研究员
单 位：中国科学院半导体研究所
时 间：2019年1月12日（周六）
地 点：材料院 教学5号楼 4楼413室（大会议室）
个人简介：
2010年毕业于中国科学院半导体研究所。2011年至2014年初在美国再生能源国家实验室(NREL)从事博士后研究。现为中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员。主要研究方向：半导体物理、半导体合金、半导体掺杂与缺陷物理、半导体材料的物性探究与设计。迄今为止，在Nature Energy、Phys. Rev. Lett.、Phys. Rev. X、Phys. Rev. B、Adv. Func. Mater.等期刊上发表SCI论文四十多篇。
报告摘要：
Doping and defects plays a vital role for the semiconductor devices. In this presentation, based on the Density Function Theory (DFT) first-principle calculations, I will present our recent works on understanding and design of electronic properties of impurities and defects in the conventional semiconductors. The examples include origin of the diffusion behaviors of impurities in some semiconductors, defect properties for the amorphous semiconductors, and a general understanding of the electronic structures of non-isovalent semiconductor alloys and superlattices.